Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC8878

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC8878

FDMC8878 Hakkında

FDMC8878, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 9.6A (Ta) / 16.5A (Tc) sürekli drenaj akımı ile çalışan bu güç transistörü, düşük 14mOhm RDS(on) değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. Surface Mount 8-PowerWDFN paketinde sunulan FDMC8878, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 2.1W (Ta) / 31W (Tc) güç tüketimi kapasitesi, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamaları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.6A (Ta), 16.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1230 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9.6A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok