Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMC86320
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMC86320
FDMC86320 Hakkında
FDMC86320, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 80V Drain-Source gerilimi ve 10.7A (Ta) / 22A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 11.7mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Yüksek hızlı anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 41nC gate charge ve düşük input kapasitansı ile hızlı komütasyon özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.7A (Ta), 22A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2640 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 10.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-MLP (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok