Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC86262P

MOSFET P-CH 150V 2A/8.4A 8MLP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC86262

FDMC86262P Hakkında

FDMC86262P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 2A (25°C), 8.4A (75°C) sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-PowerWDFN SMD paketinde sunulan bu bileşen, 307mOhm on-resistance (10V, 2A) değeri ile düşük ısıl dirençli uygulamalar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen FDMC86262P, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, yüksek gerilim uygulamaları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. 13nC gate charge ve 885pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta), 8.4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 885 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 307mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok