Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMC86261P
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMC86261
FDMC86261P Hakkında
FDMC86261P, onsemi tarafından üretilen 150V P-Channel MOSFET transistörüdür. 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu komponentin sürekli drenaj akımı sıcaklık koşullarına bağlı olarak 2.7A (Ta) ile 9A (Tc) arasında değişmektedir. Gate-Source gerilimi maksimum ±25V olup, threshold voltajı 4V'tur. Rds(on) değeri 160mOhm (10V, 2.4A) ile düşük iletim kaybına sahiptir. 2.3W (Ta) ile 40W (Tc) güç yayılım kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Bu transistör, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.7A (Ta), 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1360 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-MLP (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok