Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC86259P

MOSFET P-CH 150V 3.2A/13A PWR33

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC86259

FDMC86259P Hakkında

FDMC86259P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 3.2A sürekli drenaj akımı (Ta=25°C) ve 13A (Tc) kapasitesi bulunmaktadır. 107mOhm maksimum Rds(on) değeri ile enerji verimliliğini destekler. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve yüksek voltaj koruma devreleri tasarımında kullanılır. Power33 paket formatında sunulan bileşen, surface mount teknolojisi ile PCB'ye monte edilir ve kompakt tasarımlar için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Ta), 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2045 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 107mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package Power33
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok