Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMC8622
N-CHANNEL SHIELDED GATE POWER TR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMC8622
FDMC8622 Hakkında
FDMC8622, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel shielded gate power MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj ve 4A kontinü drain akımı ile çalışan bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 56mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. Surface Mount 8-PowerWDFN paketinde sunulan FDMC8622, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. 2.5W (Ta) ve 31W (Tc) maksimum güç harcaması ile termal yönetim gereksinimleri düşüktür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Ta), 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 402 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-MLP (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok