Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC86184

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC86184

FDMC86184 Hakkında

FDMC86184, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 57A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8.5mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. ±20V Vgs aralığında çalışabilen bu bileşen, 6V ve 10V sürüş gerilimlerinde optimize edilmiştir. Surface Mount 8-PowerWDFN pakette sunulan transistör, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörler ve motorlu cihazlar gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. 54W maksimum güç dağılımı ve düşük kapasitans değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun kılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 57A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package 8-PQFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 110µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok