Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMC86139P
MOSFET P-CH 100V 4.4A/15A 8MLP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMC86139
FDMC86139P Hakkında
FDMC86139P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 4.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) yüzey montajlı kasa ile sunulmaktadır. 67mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç elektronikleri uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi alanlarda kullanılır. 10V ve 6V sürüş gerilimlerinde 22nC gate charge karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta), 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1335 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-MLP (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok