Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC86116LZ

MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC86116

FDMC86116LZ Hakkında

FDMC86116LZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 3.3A (Ta) / 7.5A (Tc) sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (103mOhm @ 10V) sayesinde güç kaybını minimize eder. 6nC gate charge ve 310pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sağlar. Endüstriyel kontrol devreleri, güç yönetimi, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 3.3A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok