Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC86106LZ

MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC86106LZ

FDMC86106LZ Hakkında

FDMC86106LZ, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 3.3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 103mOhm RDS(on) değeri düşük güç kaybı sağlar. Surface Mount 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrol uygulamaları ve doğru akım dönüştürücüler gibi endüstriyel elektronik uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve maksimum 19W güç saçabilme kapasitesine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta), 7.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 19W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 3.3A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok