Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC8327L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC8327L

FDMC8327L Hakkında

FDMC8327L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 12A sürekli drenaj akımı sağlayan bu komponent, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 9.7mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 26nC gate charge ile hızlı sürüş karakteristiğine sahiptir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount 8-PowerWDFN paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 14A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1850 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.7mOhm @ 12A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok