Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC8015L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC8015L

FDMC8015L Hakkında

FDMC8015L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 26mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerWDFN paket tipinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ve 24W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Ta), 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 945 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 24W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok