Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC7664

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC7664

FDMC7664 Hakkında

FDMC7664, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel güç MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 18.8A sürekli drain akımı kapasitesi ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-PowerWDFN paketi ile yoğun PCB tasarımlarına uygun, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve ses amplifikatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18.8A (Ta), 24A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4865 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 18.8A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok