Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMC7200
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMC7200
FDMC7200 Hakkında
FDMC7200, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. Logic level gate özelliğine sahip bu küçük sinyal FET bileşeni, 30V drain-source gerilimi ve 6A sürekli dren akımı ile çalışabilir. 8-PowerWDFN (3x3mm) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, 23.5mOhm (@ 6A, 10V) düşük RDS(on) değeri sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli enerji transferi sağlar. Gate şarj 10nC ve 660pF giriş kapasitanslı tasarımı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, LED sürücüleri, motor kontrolü ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A, 8A |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Power - Max | 700mW, 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23.5mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-Power33 (3x3) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok