Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC5614P-B8

FET -60V 100.0 MOHM MLP33

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC5614P

FDMC5614P-B8 Hakkında

FDMC5614P-B8, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. -60V drain-source gerilim derecelendirmesi ile tasarlanmış olup, 10V gate-source geriliminde maksimum 100mOhm on-resistance değerine sahiptir. 5.7A sürekli drain akımı (Ta) ve 13.5A (Tc) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 20nC gate charge ve 1055pF input capacitance özellikleri hızlı switching uygulamalarına uygun kılmaktadır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında reliable performans sağlar. Surface mount 8-WDFN (3.3x3.3mm) pakajında sunulmuştur. Motor kontrolü, güç yönetimi ve load switching uygulamalarında tercih edilir. Ürün status olarak obsolete konumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1055 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 5.7A, 10V
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok