Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMC510P-F106
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMC510P
FDMC510P-F106 Hakkında
FDMC510P-F106, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 12A (Ta) / 18A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-PowerWDFN paket tipinde sunulan bu bileşen, 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için uygundur. Gate charge değeri 116nC (4.5V) olup, hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren devrelerde kullanılabilir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, çeşitli endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında veri anahtarlaması, güç yönetimi ve motor sürücü devreleri gibi alanlarda kullanım imkanı sunar. Maksimum ±8V gate-source voltajı ve 2.3W (Ta) / 41W (Tc) güç disipasyonu özelliği ile kompakt tasarımlarda entegrasyona uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta), 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 116 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7860 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 12A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok