Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC510P

MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC510P

FDMC510P Hakkında

FDMC510P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 12A (Ta) / 18A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8mOhm (4.5V, 12A) RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine ve verimli güç dağılımına imkan tanır. Maksimum 2.3W (Ta) / 41W (Tc) güç tüketimi değerleri ile güç uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır. Surface Mount 8-PowerWDFN (3.3x3.3) pakette sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve batarya uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 116 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7860 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 12A, 4.5V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok