Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC4D9P20X8

MOSFET P-CH 20V 18A/75A 8PQFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC4D9P20X8

FDMC4D9P20X8 Hakkında

FDMC4D9P20X8, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 18A (Ta) / 75A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 4.9mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kayıpları sağlar. 8-PQFN (3.3x3.3mm) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C (TJ) çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. 109nC gate charge ve 10550pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta), 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 109 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10550 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 18A, 4.5V
Supplier Device Package 8-PQFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok