Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC4435BZ-F126

MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC4435BZ

FDMC4435BZ-F126 Hakkında

FDMC4435BZ-F126, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile tasarlanan bu bileşen, 8.5A sürekli drenaj akımı (Ta) ve 18A drenaj akımı (Tc) kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 20mOhm maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerWDFN paketinde Surface Mount montajı için uygun olup, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılan bu MOSFET, 46nC gate yükü ve 2045pF input kapasitansi özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2045 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok