Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC4435BZ

MOSFET P-CH 30V 8.5A/18A 8MLP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC4435

FDMC4435BZ Hakkında

FDMC4435BZ, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj kapasitesi ve 8.5A (Ta)/18A (Tc) sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. 20mΩ @ 10V Rds(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 8-PowerWDFN SMD paketi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun, -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Motor kontrolleri, güç dağıtımı, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.5A (Ta), 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2045 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 31W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8.5A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok