Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC3612

MOSFET N-CH 100V 3.3A/16A 8MLP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC3612

FDMC3612 Hakkında

FDMC3612, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ile tasarlanmış olup, 25°C'de 3.3A, uygun soğutma ile 16A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 8-PowerWDFN (8-MLP 3.3x3.3) yüzey monte pakette sunulmaktadır. Düşük on-direnci (110mOhm @ 3.3A, 10V) ile verimli anahtarlama özelliği gösterir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ve 4V gate-source eşik gerilimi ile kontrol edilebilir. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devrelerinde, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta), 16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 880 pF @ 50 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 3.3A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok