Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMC2674

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMC2674

FDMC2674 Hakkında

FDMC2674, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 220V Drain-Source gerilim (Vdss) ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 7A sürekli tahliye akımı kapasitesi ve 366mOhm on-resistance (Vgs=10V, Id=1A) ile verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Surface Mount (8-PowerWDFN) paket türü ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. MOSFET teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük gate sürüş gerilimi (10V) gerektiren uygulamalarda tercih edilir. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta), 7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 220 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180 pF @ 100 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 366mOhm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok