Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMC2610
N-CHANNEL ULTRAFET TRENCH MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMC2610
FDMC2610 Hakkında
FDMC2610, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel ULTRAFET Trench MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilimi ve 2.2A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmış olup, 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) yüzeye monte paketinde sunulmaktadır. 200mΩ maksimum Ron değeri (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate yükü 18nC ve input kapasitanı 960pF olarak belirtilmiştir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve genel dijital lojik sürücü uygulamalarında kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş uygulanabilirlik sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-MLP (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok