Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMC2610
MOSFET N-CH 200V 2.2A/9.5A 8MLP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMC2610
FDMC2610 Hakkında
FDMC2610, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılabilir. 25°C'de 2.2A sürekli dren akımı ve termal çıkışta 9.5A'ye kadar çıkabilen kapasitesi vardır. 10V gate geriliminde 200mOhm RDS(on) değeri ile iyi anahtarlama karakteristiğine sahiptir. 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) SMD paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, aydınlatma uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir ve 42W'a kadar güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta), 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 960 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-MLP (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok