Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMC2523P
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMC2523
FDMC2523P Hakkında
FDMC2523P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET güç transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 3A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle çalışan bu bileşen, 1.5Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Surface mount 8-PowerWDFN paketinde sunulan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 42W maksimum güç tüketimi ile anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve düşük seviyeli kontrol devrelerinde kullanılır. 10V sürüş gerilimi ile tam iletim sağlar ve 9nC gate charge değeri hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 270 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-MLP (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok