Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMC2512SDC
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMC2512
FDMC2512SDC Hakkında
FDMC2512SDC, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilimi ve 32A (Ta) / 40A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 2mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük kayıplar sağlar. Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3mm) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Motor kontrol, güç yönetimi, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. 68nC gate charge ve 4410pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4410 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 66W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok