Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMC0202S
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMC0202
FDMC0202S Hakkında
FDMC0202S, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 25V Drain-Source gerilimi ve 22.5A sürekli drenaj akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 3.15mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp özellikleri sunmaktadır. Surface mount 8-PowerTDFN paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilmektedir. Yükseltici konvertörler, LED sürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 44nC gate charge ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile verimli enerji dönüşümü sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 22.5A (Ta), 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2705 pF @ 13 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.15mOhm @ 22.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-PQFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok