Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMB668P

MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP

Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDMB668P

FDMB668P Hakkında

FDMB668P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ile 6.1A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, düşük açık direnç (RdsOn) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount 8-MLP (MicroFET) paketinde sunulan transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve 1.9W maksimum güç yayılımı ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur. Parça üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2085 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6.1A, 4.5V
Supplier Device Package 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok