Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMB506P
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMB506P
FDMB506P Hakkında
FDMB506P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 6.8A sürekli dren akımı kapasitesi ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-MLP (3x1.9mm) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uyum gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Maksimum 1.9W güç tüketimi ile düşük enerji tasarımlarında tercih edilebilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2960 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok