Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMB506P
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMB506P
FDMB506P Hakkında
FDMB506P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 6.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 8-MLP SMD paketinde sunulmaktadır. 30mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olan FDMB506P, güç yönetimi, motor kontrolü, batarya koruma devreleri ve genel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.9W maksimum güç dağıtımı ve düşük gate charge değerleri sayesinde hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalara uygundur. Bileşen kullanımdan kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2960 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-MLP, MicroFET (3x1.9) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok