Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMA908PZ

MOSFET P-CH 12V 12A 6MICROFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDMA908P

FDMA908PZ Hakkında

FDMA908PZ, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltajında 12A sürekli drenaj akımı ile çalışabilen bu bileşen, düşük on-dirençli (Rds On: 12.5mOhm @ 4.5V) tasarımıyla güç uygulamalarında verim kaybını minimize eder. 6-WDFN (2x2) yüzey montajı paketinde sunulan FDMA908PZ, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve batarya şarj uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve 2.4W güç dağıtabilen bu MOSFET, düşük gate charge değeri (34nC @ 4.5V) sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük enerji tüketimi sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3957 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 12A, 4.5V
Supplier Device Package 6-MicroFET (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok