Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMA8884
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A 6MICROFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMA8884
FDMA8884 Hakkında
FDMA8884, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 6.5A (Ta) / 8A (Tc) sürekli drain akımı ile kompakt uygulamalara uygundur. 6-WDFN (MicroFET 2x2) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 23mOhm RDS(on) değeri sayesinde enerji yönetimi ve anahtar uygulamalarında kullanılır. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C), düşük kapasitans değerleri ve hızlı kapı yükü karakteristikleri ile batarya yönetim sistemleri, güç denetim devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.5A (Ta), 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok