Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMA86265P

MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDMA86265

FDMA86265P Hakkında

FDMA86265P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source gerilimi ve 1A sürekli drain akımı ile çalışabilen bu bileşen, 6-WDFN pakette sunulmaktadır. 1.2Ω maximum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve ters polarite koruması gibi alanlarda kullanılır. Düşük gate charge (4 nC) sayesinde hızlı komütasyon ve düşük enerji kaybı sunar. Surface mount teknolojisi ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 75 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 1A, 10V
Supplier Device Package 6-MicroFET (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok