Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMA86108LZ
MOSFET N-CH 100V 2.2A 6MICROFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMA86108LZ
FDMA86108LZ Hakkında
FDMA86108LZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 2.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 6-WDFN Exposed Pad paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 243mOhm maksimum on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C), 3nC gate yükü ve 163pF input kapasitansi özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında verimli performans sunar. Düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji verimliliği yüksek olan power conversion, motor kontrol ve load switching uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 163 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 243mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok