Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMA8051L
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMA8051L
FDMA8051L Hakkında
FDMA8051L, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 10A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu transistör, küçük sinyal uygulamalarında kullanılmaktadır. 6-WDFN (2x2) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. 10V kapı geriliminde 14mΩ on-state direnci ve 20nC gate charge özellikleriyle, anahtar uygulamalarında düşük güç kaybı sağlamaktadır. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüler ve güç dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1260 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok