Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMA7672

MOSFET N-CH 30V 9A 6MICROFET

Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDMA7672

FDMA7672 Hakkında

FDMA7672, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim kapasitesi ve 9A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 6-WDFN Exposed Pad paketinde sunulan bu bileşen, yüksek entegrasyon ve kompakt PCB tasarımlarına uygundur. Düşük on-dirençli (21mOhm @ 9A, 10V) yapısı ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 9A, 10V
Supplier Device Package 6-MicroFET (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok