Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMA710PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMA710P
FDMA710PZ Hakkında
FDMA710PZ, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. Düşük sinyal uygulamaları için tasarlanan bu bileşen, maksimum 20V drain-source geriliminde 7.8A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 24mΩ on-resistance (Rds On) ile verimli anahtarlama özelliği gösterir. Surface Mount paketlemede sunulan (6-WDFN) bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 900mW güç dağıtabilir. Düşük gate charge (42nC) nedeniyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve ses amplifikasyonu gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2015 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 900mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 7.8A, 5V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok