Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMA6676PZ

MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-VDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDMA6676

FDMA6676PZ Hakkında

FDMA6676PZ, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 6-PowerWDFN (2x2mm) paketinde sunulan bu komponent, düşük açık direnç değeri (13.5mΩ @ 10V) sayesinde enerji verimliliğine katkı sağlar. Gate charge özelliği (46nC @ 10V) ve input kapasitesi (2160pF @ 15V) hızlı anahtarlama karakteristiğini destekler. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bileşen, batarya yönetimi, power distribution, load switching ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2160 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-PowerWDFN
Part Status Last Time Buy
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 11A, 10V
Supplier Device Package 6-MicroFET (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok