Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMA530PZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDMA530

FDMA530PZ Hakkında

FDMA530PZ, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 30V drain-source voltaj desteği ve 6.8A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 35mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 6-WDFN Surface Mount paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, load switching ve power distribution sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. ±25V maksimum gate-source voltajı ile geniş uygulama yelpazesine uyum sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1070 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6.8A, 10V
Supplier Device Package 6-MicroFET (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok