Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDMA410NZ
MOSFET N-CH 20V 9.5A 6MICROFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDMA410NZ
FDMA410NZ Hakkında
FDMA410NZ, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ve 9.5A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 6-WDFN (2x2mm) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 23mOhm (4.5V, 9.5A) Ron değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda kullanılır. 14nC gate charge ve 1080pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama için uygun özellikleridir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 9.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-MicroFET (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok