Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDMA291P

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
FDMA291P

FDMA291P Hakkında

FDMA291P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 6.6A sürekli drenaj akımı ve 20V drenaj-kaynak voltajı ile çalışır. 42mΩ maksimum Rds(On) değerine sahip bu küçük sinyal transistörü, düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. 6-WDFN SMD paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. 2.4W maksimum güç dağılımı kapasitesi bulunan transistör, 14nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Supplier Device Package 6-MicroFET (2x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok