Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDM606P

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
FDM606P

FDM606P Hakkında

FDM606P, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 6.8A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. 30mOhm (4.5V, 6.8A) RDS(on) değerine sahip bu bileşen, düşük ısı kaybı gerektiren uygulamalarda tercih edilir. Surface mount 8-MLP MicroFET paketinde sunulan FDM606P, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve invertör tasarımlarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir işletim sağlar. Maksimum 30nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sunar. Lojik seviye sürüşü (1.8V-4.5V) ile CMOS ve TTL devreleriyle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.92W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Supplier Device Package 8-MLP, MicroFET (3x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok