Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDM606P

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8MLP

Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
FDM606P

FDM606P Hakkında

FDM606P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim kapasitesi ile 6.8A sürekli dren akımını destekler. 30mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. 8-pin SMD paket (MicroFET 3x2) ile yüzey montajı uygulamalarında kullanılır. Kapı yükü (Qg) 30nC ve giriş kapasitesi (Ciss) 2200pF'dir. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda tercih edilir. 4.5V sürücü geriliminde maksimum performans sağlar. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.92W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.8A, 4.5V
Supplier Device Package 8-MLP, MicroFET (3x2)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok