Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDM3622
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDM3622
FDM3622 Hakkında
FDM3622, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ve 4.4A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 60mOhm on-resistance (RDS(on)) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. 8-PowerWDFN (8-MLP 3.3x3.3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç dağıtımı 2.1W (Ta) olan bu FET, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerinde, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 10V drive voltajında maksimum 17nC gate charge ve 1090pF input capacitance değerlerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1090 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-MLP (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok