Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDM3622

MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
FDM3622

FDM3622 Hakkında

FDM3622, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 4.4A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, 8-PowerWDFN paket formatında sunulmaktadır. 60mOhm maksimum on-direnç (RDS(on)) değeri ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. Maksimum 2.1W güç disipasyonu kapasitesine sahip olan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Kapı yükü 17nC ve giriş kapasitesi 1090pF olarak belirtilmiştir. Anahtarlama uygulamaları, motor sürücüleri, güç dönüştürücüler ve yük kontrolü gibi endüstriyel ve consumer elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1090 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4.4A, 10V
Supplier Device Package 8-MLP (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok