Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDJ129P

MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6 FLMP

Paket/Kılıf
SC75-6 FLMP
Seri / Aile Numarası
FDJ129P

FDJ129P Hakkında

FDJ129P, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ve 4.2A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahiptir. SC-75-6 FLMP yüzey montajlı paket ile sunulmaktadır. 70mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile düşük enerji kaybı sağlar. Gate charge (Qg) maksimum 6nC ve input capacitance (Ciss) 780pF özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve aydınlatma uygulamalarında kullanılabilir. 1.6W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. Ürün mevcut durumu obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-75-6 FLMP
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 4.2A, 4.5V
Supplier Device Package SC75-6 FLMP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok