Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDI8442
MOSFET N-CH 40V 23A/80A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDI8442
FDI8442 Hakkında
FDI8442, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında çalışan bu bileşen, sürekli drenaj akımında 23A (Ta) ve 80A (Tc) değerlerine ulaşabilir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan transistör, 2.9mOhm maksimum RDS(ON) direnciyle düşük güç kaybı sağlar. Gate şarj kapasitesi 235nC olup, giriş kapasitansi 12200pF'dir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 254W güç dağıtabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Lütfen: Bu ürün Obsolete (kullanımdan kaldırılmış) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 23A (Ta), 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 235 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 254W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok