Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FDI3632

MOSFET N-CH 100V 12A/80A I2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
FDI3632

FDI3632 Hakkında

FDI3632, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj (Vdss) ile çalışan bu bileşen, 12A sürekli ve 80A (Tc) akım kapasitesine sahiptir. TO-262-3 I²Pak paketinde sunulan transistör, 6V ve 10V drive voltajlarında 9mOhm gate-source direnci (Rds On) sağlar. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilen FDI3632, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtar uygulamalarında tercih edilmektedir. 310W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6000 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok