Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDI33N25TU
MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDI33N25TU
FDI33N25TU Hakkında
FDI33N25TU, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Metal Oxide Semiconductor FET (MOSFET) transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 33A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarına uygun olarak tasarlanmıştır. TO-262 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 10V gate drive voltajında 94mOhm maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kayıplarını minimize eder. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, yüksek güç dissipasyonu (235W) gerektiren uygulamalarda tercih edilir. NOT: Bu bileşen üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup, yeni tasarımlarda yerine geçen ürünler kullanılması önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 33A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2135 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 235W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 16.5A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok