Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FDI150N10
MOSFET N-CH 100V 57A I2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FDI150N10
FDI150N10 Hakkında
FDI150N10, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 57A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 16mOhm'luk düşük on-state direnci sayesinde ısı kaybını minimumda tutar. TO-262 (I²Pak) paketinde gelen bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 57A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4760 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 49A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok